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6英寸SiC导电型衬底单晶片

碳化硅(SIC)新一代“节能元器件”,具有低电力损耗、高耐耐压性及更小体积等多项优势,能够使机器节能化、小型化、高效化,因而备受业界关注。、随着社会的不断发展,第三代半导体材料将广泛应用于家电及消费电子、新能源汽车、工业等高科技领域,拥有广阔的市场前景,以碳化硅和氧化镓为代表的第三代半导体时代也随之来临

产品参数
 

6英寸SiC导电型衬底单晶片规格书

等级

工业级(P -MOS级)

工业级(P-SBD 级)

试片级(D 级)

陪片级(NG级)

 

晶体参数

表面取向

4.0°toward<11-20>±0.25°

NA

  4H 晶型面积

100%

有效面积 

≥98%

≥90%

<90%

 

机械参数

直径(mm

150±0.2

<149.8或>150.2

主参考面取向

<10- 10>±5.0°

NA

主参考面长度(mm

47.5±1.5

<46或>49

次参考面

厚度(μm

350±20

350±25

300~325或>375

TTV(μm

≤5

≤10

≤15

>15

LTVave  (μm

≤1

≤3

>3

LTVmax  (μm

≤2

≤3

≤5

>5

Bow  (μm

-10~10

-20~20

-25~25

<-25或>25

Warp (μm

≤25

≤40

>40

Si面粗糙度(nm

<0.2

NA

 

电学参数

电阻率  (Ω·cm)

 0.015~0.025

0.015~0.028

0.015~0.03

掺杂剂

N 型 掺氮

 

缺陷参数

六方夹杂

(强光/显微镜/表面缺陷检测仪)

碳包裹物密度(个/cm2

≤0.1

≤0.1

≤0.5

>0.5

基平面位错BPD

≤800

≤3000

≤9000

>9000

螺位错TSD

≤200

≤500

≤1000

>1000

刃位错TED

≤3000

≤3000

≤7000

>7000

微管密度(个/cm2

≤0.1

≤0.5

>0.5

 

正面质量(Si面)

Si面处理

Si面CMP

裂纹 (强光灯)

划痕(强光灯)

凹坑(强光灯)

磕边 (强光灯)

崩边( mm)

(显微镜)

长度<0.5 ,深度<0.2

NA

缺边 (显微镜)

六方孔洞 (强光灯)

Si面颗粒聚集(表面缺陷检测仪)

划痕占比 (表面缺陷检测仪)

≤5%

>5%

划痕累计长度(mm)(表面缺陷检测仪)

累计长度≤100

累计长度≤300

累计长度>300

堆垛层错(表面缺陷检测仪)

≤0.5%

≤1%

>1%

NA

凹坑(个)(表面缺陷检测仪)

≤20

≤50

≤100

>100

 

背面质量(C面)

C面处理

C面抛光

背面划痕(强光灯)

目测无划痕

NA

背面粗糙度

<1nm

背面激光标记

单线打标,距离主边长度1mm,距离两边(主边端点垂线) 12- 15mm, 激光刻字深度0-10&mu;m

崩边(强光灯)

 

边缘轮廓

边缘轮廓

倒角处理

 

包装

包装

多片或单片包装,开盒即用

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