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6英寸SiC导电型衬底晶锭

碳化硅(SIC)新一代“节能元器件”,具有低电力损耗、高耐耐压性及更小体积等多项优势,能够使机器节能化、小型化、高效化,因而备受业界关注。、随着社会的不断发展,第三代半导体材料将广泛应用于家电及消费电子、新能源汽车、工业等高科技领域,拥有广阔的市场前景,以碳化硅和氧化镓为代表的第三代半导体时代也随之来临

产品参数

6英寸SiC导电型衬底晶锭规格书

项目

性能

参数

 

晶体参数

 

表面晶向

Surface orientation

 

4.0°  toward [11-20]± 0.5°

 

4H晶型面积

areas

 

100%

 

边缘多晶

Edge polycrystal

 

机械参数

直径(mm)

Diameter

150±0.1

参考面方向

Primary flat orientation

 

<11-20>±5.0°

参考面长度(mm)

Primary flat length

 

47.5±1.5

电学参数

电阻率  (2 · cm)

Resistivity

0.01-0.03

掺杂剂

Dopant

N型掺氮

缺陷参数

微管密度(个/cm2)

Micropipe Density

≤0.5

基平面位错BPD(个/cm2)

≤7000

表面质量

裂纹

Cracks

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